18.10.2013 - predavanja VISOKOFREKVENČNA TEHNIKA
------------------------------------------------

1. Zgodovina: delovanje vakuumske triode 1907.
2. Podobnost med elektronko in poljskim tranzistorjem.
3. Spojni FET iz silicija, N-kanal in P-kanal, simboli.
4. Kvadratična karakteristika JFET, prevajanje diode GS.
5. Tehnološka težava JFET: kolebanje Ut.
6. MOSFET iz silicija s štirimi elektrodami G,S,D,B.
7. Karakteristike N-kanalnih in P-kanalnih MOSFETov.
8. Simboli MOSFETov depletion/enhancement (vgrajeni/inducirani kanal).
9. Tehnološki razvoj: dolžina kanala, frekvenčna meja, upornost kanala.
10. MOSFET ojačevalnik s skupnim izvorom.
11. Karakteristika Id(Uds) MOSFETa.
12. Nadomestno vezje MOSFETa v linearnem režimu.
13. Močnostni nizkofrekvenčni MOSFET, struktura VMOS.
14. Temperaturni koeficient upornosti kanala, porazdelitev toka.
15. Močnostni visokofrekvenčni MOSFET, struktura LDMOS.
16. Statična zaščita MOSFETov: diode, zenerice? CMOS logika?
17. Polprevodniki 3-5, mobilnost elektornov v Si in v GaAs.
18. Izvedba MESFETa iz GaAs, dolžina kanala nekoč in danes.
19. Zvišanje mobilnosti v heterostrukturi, 2D oblak elektronov.
20. Lastnosti HEMTov iz GaAs (majhen šum) in InP (hitrost).
21. Širina kanala nizkošumnega in močnostnega HEMTa.
22. Tloris nizkošumnega in močnostnega HEMTa.
23. Primerjava krivulj Id(Ugs) za MESFET, HEMT in E-HEMT.
24. Prebojne napetosti MESFETov in HEMTov.
25. SiC: kristalne oblike, bandgap, mobilnost, MESFET.
26. Bandgap, mobilnost in prebojna trdnost galijevega nitrida.
27. Prerez GaN/GaAlN HEMT na podlagi iz SiC.
28. Ojačevalnik z GaN HEMTom, krivulja Id(Ugs), tolerance Ut.
29. Izbira delovne točke poljskega tranzistorja.
30. Prerez in lastnosti sodobnega SiGe tranzistorja.
31. Heterostrukturni bipolarni tranzisotrji iz GaAsP in InP.
32. Visokofrekvenčna stikala z MESFETi.