17.10.2014 - predavanja VISOKOFREKVENČNA TEHNIKA
------------------------------------------------
1. Zgodovina: delovanje vakuumske triode 1907.
2. Podobnost med elektronko in poljskim tranzistorjem.
3. Različice poljskih tranzistorjev, JFET in MOSFET.
4. Spojni FET iz silicija, N-kanal in P-kanal, simboli.
5. Kvadratična karakteristika JFET, prevajanje diode GS.
6. Preščipnjenje kanala in nasičenje toka ponora.
7. Tehnološka težava JFET: kolebanje Ut.
8. MOSFET iz silicija s štirimi elektrodami G,S,D,B.
9. Karakteristike N-kanalnih in P-kanalnih MOSFETov.
10. Simboli MOSFETov depletion/enhancement (vgrajeni/inducirani kanal).
11. Tehnološki razvoj: dolžina kanala, frekvenčna meja, upornost kanala.
12. Nadomestno vezje MOSFETa v linearnem režimu.
13. Močnostni nizkofrekvenčni MOSFET, struktura VMOS.
14. Temperaturni koeficient upornosti kanala, porazdelitev toka.
15. Povezave in hlajenje močnostnega VF tranzistorja, ohišje iz BeO.
16. Močnostni visokofrekvenčni MOSFET, struktura LDMOS.
17. Polprevodniki 3-5, mobilnost elektornov v Si in v GaAs.
18. Izvedba MESFETa iz GaAs, dolžina kanala nekoč in danes.
19. Lastnosti MESFETov iz GaAs (majhen šum) in InP (hitrost).
20. Prebojne napetosti malosignalnih in močnostnih MESFETov.
21. Tloris nizkošumnega in močnostnega MESFETa.
22. Zvišanje mobilnosti v heterostrukturi, 2D oblak elektronov.
23. Frekvenčne zmogljivosti HEMTov.
24. Primerjava krivulj Id(Ugs) za MESFET, HEMT in E-HEMT.
25. SiC: kristalne oblike, bandgap, mobilnost, MESFET.
26. Bandgap, mobilnost in prebojna trdnost galijevega nitrida.
27. Prerez GaN/GaAlN HEMT na podlagi iz SiC.
28. Ojačevalnik z GaN HEMTom, krivulja Id(Ugs), tolerance Ut.
29. Visokofrekvenčna stikala z MESFETi.
30. *** 1. TIHA VAJA IZ VISOKOFREKVENČNE TEHNIKE ***.