22.5.2014 - predavanja OPTIČNE KOMUNIKACIJE (UNI)
-------------------------------------------------

1. Frekvenčna meja nelinearnosti polprevodnikov f<1THz.
2. Lastnosti toplotnih sprejemnikov, neodvisni od lambda, meritve.
3. Odkritje selenskega fotoupora, hitrost odziva fotoupora.
4. Vakuumske in polprevodniške fotodiode, kvantni izkoristek.
5. Fotovoltaični in fotouporovni režim delovanja fotodiode.
6. Izbira polprevodnika za diodo: Si, Ge, InGaAs.
7. Ponovitev: merska enota eV za energijo.
8. Izvedba čipa polprevodniške fotodiode, heterostruktura.
9. Definicija odzivnosti I/P fotodiode, izračun in velikostni razred.
10. Krivulja odzivnosti fotodiode s heterostrukturo.
11. Zgradba sprejemnika, fotodioda in ojačevalnik, kapacitivnosti.
12. Občutljivost sprejemnika za en fotoelektron.
13. Zrnati šum in Poisson-ova porazdelitev, BER=1E-9 >>> Ne=21.
14. Ocena impedance fotodiode in toplotnega šuma sprejemnika.
15. Zgled: izračun jakosti toplotnega šuma v sprejemniku.
16. Razmerje signal/šum, faktor Q in BER v svetlobni zvezi.
17. Krivulja BER kot funkcija Q, uporabno med 6 in 7.
18. Zgled: občutljivost sprejemnika iz toplotnega šuma.
19. Izračun števila fotonov enice in povprečja fotonov.
20. Zgled občutljivosti sprejemnika za 1Gbit/s v uW in dBm.
21. Zgled dometa 1.3um zveze točka točka s PIn srpejemnikom.
22. Domet PON, izgube cepljenja omrežja zahtevajo občutljiv sprejemik.
23. Konvektivni in prevodniški tok, zveza s toplotnim šumom.
24. Izvedba, delovanje in lastnosti fotopomnoževalke.
25. Fotodetektorji z ojačenjem: plinska fotodioda in APD.
26. Zgradba APD iz InGaAs-InP, množenje elektronov.
27. Signal, šum in razmerje signal/šum v sprejemniku s plazovno diodo.
28. Optimalni M in Ub za Si, Ge in InGaAsP APD.
29. Lastnosti APD sprejemnika: 200fotonov/bit, +7dB glede na PIN.